When a forward bias is applied to a p-n junction diode, then :
जब किसी p-n संधि डायोड पर अग्र अभिनति (फॉरवर्ड बायस) लगाई जाती है, तो :
EXPLANATION
Semiconductors, p-n Junction Diode & Rectifier
In forward bias, the positive terminal of the battery is connected to the p-side and the negative terminal to the n-side:
- The applied forward voltage opposes the built-in junction barrier potential: $V_{\text{eff}} = V_0 - V$.
- This opposition weakens the junction electric field and pushes majority carriers (holes from p-side and electrons from n-side) toward each other across the junction.
- Consequently, the width of the depletion layer reduces and junction resistance drops dramatically, enabling significant forward current.
Hence, option 4 is the correct answer.
जब p-n संधि को अग्र अभिनति (फॉरवर्ड बायस) दी जाती है:
- बाह्य विद्युत क्षेत्र आंतरिक प्राचीर क्षेत्र के विपरीत दिशा में कार्य करता है, जिससे प्रभावी विभव प्राचीर घट जाता है ($V_{\text{eff}} = V_0 - V$)।
- बहुसंख्यक वाहक संधि की ओर धकेले जाते हैं, जिसके परिणामस्वरूप ह्रासी परत (अवक्षय परत) की चौड़ाई घट जाती है।
- संधि प्रतिरोध बहुत कम हो जाता है तथा परिपथ में धारा प्रवाहित होने लगती है।
अतः विकल्प 4 सही उत्तर है।
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