Which of the following statement(s) is/are true for p-type semiconductors?
Choose the correct answer from the options given below:
p-प्रकार के अर्धचालकों के लिए निम्नलिखित में से कौन-सा/से कथन सत्य है/हैं?
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनिए:
- p-type semiconductor is created by doping pure tetravalent silicon or germanium with trivalent impurity atoms (Group 13 elements such as Boron, Aluminum, or Indium).
- Each trivalent atom shares three valence electrons with neighboring silicon atoms, leaving a deficiency (vacancy) of an electron, which creates a hole.
- Consequently, holes are the majority charge carriers ($n_h \gg n_e$), and thermally generated electrons are the minority charge carriers.
- शुद्ध चतुःसंयोजी अर्धचालक (Si या Ge) में त्रिसंयोजी अपमिश्रक (वर्ग 13 के तत्व जैसे B, Al, In) मिलाने पर p-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है।
- त्रिसंयोजी परमाणु के पास एक इलेक्ट्रॉन की कमी होने के कारण एक कोटर (hole) उत्पन्न होता है।
- अतः p-प्रकार के अर्धचालक में कोटर (holes) बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं तथा इलेक्ट्रॉन अल्पसंख्यक वाहक होते हैं।