Which of the following statements is NOT correct?
निम्नलिखित में से कौन-सा कथन सही नहीं है?
EXPLANATION
Semiconductor Electronics
Evaluation of statements:
- Doping pure silicon with trivalent impurities (like Boron, Aluminium, Indium) creates excess holes, forming a p-type semiconductor (Correct statement).
- In an n-type semiconductor, doping with pentavalent impurities introduces free conduction electrons as majority carriers, whereas holes are minority carriers. Therefore, the statement claiming majority carriers are holes is incorrect (NOT correct statement).
- In a p-type semiconductor, holes are majority carriers and electrons are minority carriers (Correct statement).
- In intrinsic semiconductors, higher temperature breaks covalent bonds to generate electron-hole pairs, increasing conductivity and thus decreasing resistivity (Correct statement).
Hence, option 2 is the correct answer.
कथनों का परीक्षण:
- सिलिकॉन में त्रिसंयोजी अपद्रव्य मिलाने पर अतिरिक्त होल उत्पन्न होते हैं, जिससे p-प्रकार का अर्धचालक बनता है (कथन सही है)।
- n-प्रकार के अर्धचालक में पंचसंयोजी अपद्रव्य मिलाने के कारण बहुसंख्यक आवेश वाहक मुक्त इलेक्ट्रॉन होते हैं, जबकि होल अल्पसंख्यक वाहक होते हैं। अतः यह कथन असत्य (गलत) है।
- p-प्रकार के अर्धचालक में होल बहुसंख्यक और इलेक्ट्रॉन अल्पसंख्यक वाहक होते हैं (कथन सही है)।
- तापमान बढ़ने पर सहसंयोजक बंध टूटने से इलेक्ट्रॉन-होल युग्म उत्पन्न होते हैं, जिससे नैज अर्धचालक की प्रतिरोधकता घटती है (कथन सही है)।
अतः विकल्प 2 सही उत्तर है।
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क्या व्याख्या इस प्रश्न से मेल नहीं खा रही?
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