Below given are some statements about electronic devices:
(A) Diodes can be used for rectifying an ac voltage.
(B) For semiconductors, band gap energy $E_g > 3\,\text{eV}$.
(C) By changing the external applied voltage, junction barriers can be changed.
(D) p-n junction is the 'key' to all semiconductor devices.
Choose the correct answer from the options given below:
इलेक्ट्रॉनिक युक्तियों के विषय में नीचे कुछ कथन दिए गए हैं:
(A) डायोड का उपयोग ac वोल्टता के दिष्टीकरण के लिए किया जा सकता है।
(B) अर्धचालकों के लिए ऊर्जा बैंड अंतराल $E_g > 3\,\text{eV}$ होता है।
(C) बाह्य प्रयुक्त वोल्टता को परिवर्तित करके, संधि प्राचीर को बदला जा सकता है।
(D) p-n संधि सभी अर्धचालक युक्तियों की 'कुंजी' (आधार) है।
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनिए:
EXPLANATION
Semiconductors, p-n Junction Diode & Rectifier
Analyzing each electronic device statement:
- Statement (A): Semiconductor diodes conduct predominantly in one direction and are widely used as half-wave and full-wave rectifiers $\rightarrow$ Correct.
- Statement (B): For semiconductors, the energy bandgap is typically less than $3\,\text{eV}$ (e.g., Silicon $E_g = 1.1\,\text{eV}$, Germanium $E_g = 0.7\,\text{eV}$). Materials with $E_g \gt 3\,\text{eV}$ are electrical insulators $\rightarrow$ Incorrect.
- Statement (C): Applying forward bias decreases the potential barrier height, whereas applying reverse bias increases it $\rightarrow$ Correct.
- Statement (D): The p-n junction serves as the fundamental building block for transistors, LEDs, solar cells, and integrated circuits $\rightarrow$ Correct.
Therefore, statements (A), (C) and (D) only are correct.
Hence, option 4 is the correct answer.
इलेक्ट्रॉनिक युक्तियों के कथनों का विश्लेषण:
- कथन (A): डायोड एकदिशीय चालन गुण के कारण ac वोल्टता को dc में बदलने (दिष्टीकरण) के लिए प्रयुक्त होते हैं $\rightarrow$ सही।
- कथन (B): अर्धचालकों के लिए वर्जित ऊर्जा बैंड अंतराल $E_g \lt 3\,\text{eV}$ होता है (जैसे Si के लिए $1.1\,\text{eV}$)। $E_g \gt 3\,\text{eV}$ विद्युतरोधी (इंसुलेटर) के लिए होता है $\rightarrow$ गलत।
- कथन (C): अग्र अभिनति में प्राचीर विभव घटता है तथा पश्च अभिनति में बढ़ता है $\rightarrow$ सही।
- कथन (D): p-n संधि सभी आधुनिक अर्धचालक युक्तियों (ट्रांजिस्टर, सौर सेल, LED) का मूल आधार है $\rightarrow$ सही।
अतः केवल (A), (C) और (D) सही हैं।
अतः विकल्प 4 सही उत्तर है।
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